[发明专利]制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法

摘要

一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。

主权项

一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；步骤2：在p型GaN层上沉积PS球层；步骤3：在PS球层之间缝隙中沉积SiO2层，形成带有掩膜的LED芯片；步骤4：高温下灼烧带有掩膜的LED芯片，使PS球层碳化挥发，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；步骤5：在规整的纳米级孔和SiO2层上沉积金属层；步骤6：采用稀HF酸溶液腐蚀掉SiO2层和SiO2层上面的金属层；步骤7：利用光电化学腐蚀方法，在p型GaN层向下腐蚀，腐蚀深度到达n型氮化镓层内，形成纳米级GaN柱阵列；步骤8：采用湿法腐蚀去掉金属层，在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；步骤9：在纳米级柱LED芯片的表面蒸镀透明导电层；步骤10：通过光刻和ICP刻蚀工艺，在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；步骤11：划片裂片封装，完成制备。