[发明专利]一种快速恢复二极管及制造方法有效
| 申请号： | 201210436203.6 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103022154A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘钺杨;高文玉;王耀华;张冲;金锐;于坤山 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，本发明提供的二极管包括阳极扩散P型掺杂区，均匀掺杂的本征区，阴极扩散N型区和阳极、阴极金属层。其中，阳极扩散P型掺杂区为通过掩模板进行局域注入形成的高、低浓度相间的P型掺杂区。和现有技术比，本发明提供的二极管，具有反向峰值电流IRRM低、反向恢复时间trr短和反向恢复软度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 恢复 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快速恢复二极管，所述二极管包括P型掺杂区，本征区，N型区和阳极、阴极金属层，其特征在于所述P型掺杂区为高、低浓度相间的P型掺杂区。
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