[发明专利]功率用半导体装置

摘要

本发明提供开关动作时的电流的时间变化小的功率用半导体装置。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第一导电型的第三半导体层，设置在上述第二半导体层之上；栅电极；以及栅绝缘膜，设置在上述栅电极与上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层之间。通过上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层、上述栅电极以及上述栅绝缘膜，形成场效应型晶体管，第一区域中的上述晶体管的阈值比第二区域中的上述晶体管的阈值高。

主权项

一种功率用半导体装置，其中，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第一导电型的第三半导体层，设置在上述第二半导体层之上；第四半导体层，为第一导电型，与上述第一半导体层接触，并进入上述第二半导体层内，通过上述第二半导体层而与上述第三半导体层隔离；第五半导体层，设置在上述第四半导体层之上，与上述第三半导体层及上述第四半导体层接触，有效杂质浓度与上述第二半导体层的有效杂质浓度不同；第一栅电极，贯穿上述第三半导体层及上述第二半导体层而到达上述第一半导体层内；第一栅绝缘膜，设置在上述第一栅电极与上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层之间；第二栅电极，至少配置在上述第五半导体层的正上方区域；以及第二栅绝缘膜，设置在上述第二栅电极与上述第五半导体层之间。