[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210436494.9 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103178103A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 徐东秀;朴在勋 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;南毅宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。这里，可以增加杂质的激活率并且避免薄膜处理期间晶圆的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的所述正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。
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