[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210436673.2 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102931139A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 孙双;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明实施例阵列基板的制造方法中，包括：在基板上沉积公共电极层，并通过一次掩膜版构图工艺，对公共电极层进行刻蚀，形成公共电极的图形，再对需要形成TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形进行刻蚀，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用于减少掩膜版的使用数量。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成包括栅极的图形；形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、漏源中间图形；形成包括第一透明电极的图形；在钝化层上形成对应TFT沟道区域的间隔图形；形成具有狭缝的第二透明电极的图形，将漏源中间图形打开间隔，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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