[发明专利]一种相变存储的快速擦写操作方法有效
| 申请号： | 201210436990.4 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102945683A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 宏潇;陈后鹏;宋志棠;陈一峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06;G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 快速 擦写 操作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储的快速擦写操作方法，其特征在于，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。
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