[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201210437453.1 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103094433A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管的制造方法，包括；在蓝宝石衬底的（0001）方向上生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上蒸镀N型电极；在N型电极上蒸镀量子阱反射层；在量子阱反射层上生长一层厚度30～40μm的金属层；利用干法刻蚀技术将该金属层制备成周期排列的条状金属层；在周期排列的条状金属层上外延生长N型GaN层；在N型GaN层上生长有源层；在有源层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型电极。该方法可以降低材料的位错密度，同时减少量子限制斯塔克效应的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤（1）、在蓝宝石衬底（1）的（0001）方向上生长AlN缓冲层（2）；步骤（2）、在AlN缓冲层上蒸镀N型电极（3）；步骤（3）、在N型电极（3）上蒸镀量子阱反射层（4）；步骤（4）、在量子阱反射层（4）上生长一层厚度30～40μm的金属层；利用干法刻蚀技术将该金属层制备成周期排列的条状金属层（5）；步骤（5）、在周期排列的条状金属层（5）上外延生长N型GaN层（6）；步骤（6）、在N型GaN层（6）上生长有源层（7）；步骤（7）、在有源层（7）上生长P型GaN层（8）；步骤（8）、在P型GaN层（8）上生长P型电极（9）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏威纳德照明科技有限公司，未经江苏威纳德照明科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210437453.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
