[发明专利]氮化镓基发光二极管的制造方法

摘要

本发明提出了一种氮化镓基发光二极管的制造方法，其为台阶结构，具有衬底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；在所述n型GaN层上形成n金属电极；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层。其中，所述p型GaN层的上表面形成有两排平行的反射层。

主权项

一种氮化镓基发光二极管的制造方法，包括以下步骤：（1）在衬底上采用MOCVD外延生长GaN缓冲层，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硫化锌或者砷化镓；（2）利用碱性溶液对GaN缓冲层的表面进行腐蚀，从而在GaN缓冲层表面上形成表面粗化层；（3）在GaN缓冲层被粗化的表面上采用MOCVD或者分子束磊晶工艺（MBE）来依次形成n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层以及p型GaN层的层叠结构；（4）在p型GaN层的表面旋涂光刻胶，显影后露出其部分表面，此后采用等离子体对上述层叠结构进行干法蚀刻，直至蚀刻到n型GaN层的一部分为止；优选为保留n型GaN层的厚度的1/2至2/3；（5）在p型GaN层表面的两侧分别形成凹槽；（6）采用溅镀工艺或者电子束蒸发工艺在p型GaN层两侧的凹槽上形成第一反射层和第二反射层；（7）对溅镀第一反射层和第二反射层后的p型GaN层表面进行化学机械抛光（CMP）工艺，以使得第一反射层、第二反射层与p型GaN层的表面平坦化；（8）在p型GaN层表面上采用溅镀工艺形成透明电极层；（9）将完成台阶结构的氮化镓基发光二极管浸泡在碱性溶液中，以便形成表面粗化层； （10）对衬底进行减薄，优选将衬底的厚度的1/2至2/3去除；此后在衬底的下方采用溅镀工艺形成金属反射层；（11）在n型GaN层的台阶表面形成n型电极，在透明电极层的上表面形成p型电极。