[发明专利]磁表面等离子体波导太赫兹隔离器无效
申请号: | 201210438232.6 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102916238A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 范飞;常胜江 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁表面等离子体波导太赫兹隔离器装置及其控制方法。本发明由金属壁与半导体锑化铟柱阵列构成非对称、周期性结构的表面等离子体波导。通过在低温下施加外磁场,锑化铟表现出旋电性质,该结构可产生磁表面等离子体模式,实现对太赫兹波单向隔离传输的功能。本发明的单向传输工作频段高于1THz,带宽大于80GHz,其隔离度达90dB,插入损耗低于0.25dB,工作频段可通过外磁场强度控制进行调谐。在185K温度下,通过调节外磁场从0.1T到0.7T,可使器件单向传输频带的中心工作频率从1.42THz调谐到1THz。这种低损耗、高隔离度、宽带可调谐的太赫兹隔离器可以减小太赫兹应用系统中的回波与散射噪声,改善太赫兹光束传输质量。 | ||
搜索关键词: | 表面 等离子体 波导 赫兹 隔离器 | ||
【主权项】:
一种磁表面等离子体波导太赫兹隔离器,其特征在于包括金属壁(1)、半导体柱阵列(2)、表面等离子体波导(3)、半导体衬底(4)、正向输入端(5)、反向输入端(6)、外磁场(7)。
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