[发明专利]基于金属纳米间隙的纳米应力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210438519.9 申请日: 2012-11-06
公开(公告)号: CN102914395A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 谢波;郑蒙阳;陆伟华 申请(专利权)人: 苏州新锐博纳米科技有限公司
主分类号: G01L1/20 分类号: G01L1/20;B81C1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 徐激波
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种基于金属纳米间隙的纳米应力传感器及其制备方法,其中基于金属纳米间隙的纳米应力传感器,包括:由绝缘材料制成的基片和设置于基片上的一对金属薄膜电极,所述金属薄膜电极上引出导线,连接到外部的测量电表,且所述金属薄膜电极之间构造可以形成导电路径的金属纳米结构,金属纳米结构中包含至少一个纳米间隙。本发明的传感器能快速响应高频的振动信号,能将高频振动信号转变为电学信号,灵敏度高、响应速度快、易于小型化和微型化、稳定性高。本发明的应力传感器可用于科学实验、生产过程控制和管理、生产质量鉴定、工程诊断和评价等领域。
搜索关键词: 基于 金属 纳米 间隙 应力 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于金属纳米间隙的纳米应力传感器,其特征在于,包括:由绝缘材料制成的基片(1)和设置于基片上的一对金属薄膜电极(2),所述金属薄膜电极(2)上引出导线(4),连接到外部的测量电表(5),且所述金属薄膜电极之间构造可以形成导电路径的金属纳米结构(3),金属纳米结构(3)中包含至少一个纳米间隙。
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