[发明专利]基于金属纳米间隙的纳米应力传感器及其制备方法有效
申请号: | 201210438519.9 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN102914395A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 谢波;郑蒙阳;陆伟华 | 申请(专利权)人: | 苏州新锐博纳米科技有限公司 |
主分类号: | G01L1/20 | 分类号: | G01L1/20;B81C1/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 徐激波 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种基于金属纳米间隙的纳米应力传感器及其制备方法,其中基于金属纳米间隙的纳米应力传感器,包括:由绝缘材料制成的基片和设置于基片上的一对金属薄膜电极,所述金属薄膜电极上引出导线,连接到外部的测量电表,且所述金属薄膜电极之间构造可以形成导电路径的金属纳米结构,金属纳米结构中包含至少一个纳米间隙。本发明的传感器能快速响应高频的振动信号,能将高频振动信号转变为电学信号,灵敏度高、响应速度快、易于小型化和微型化、稳定性高。本发明的应力传感器可用于科学实验、生产过程控制和管理、生产质量鉴定、工程诊断和评价等领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 金属 纳米 间隙 应力 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于金属纳米间隙的纳米应力传感器,其特征在于,包括:由绝缘材料制成的基片(1)和设置于基片上的一对金属薄膜电极(2),所述金属薄膜电极(2)上引出导线(4),连接到外部的测量电表(5),且所述金属薄膜电极之间构造可以形成导电路径的金属纳米结构(3),金属纳米结构(3)中包含至少一个纳米间隙。
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