[发明专利]场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210439400.3 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103035693A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;赵施华;邢军军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区，还包括一附加N型轻掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，附加N型轻掺杂区，位于N+型缓冲层及背面P型掺杂区之间；N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于N+型缓冲层的N型掺杂浓度。本发明还公开了该种场截止型绝缘栅双极晶体管的两种制造方法。本发明能提高使场截止型绝缘栅双极晶体管的发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 截止 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，其特征在于，所述场截止型绝缘栅双极晶体管，还包括一附加N型轻掺杂区；所述附加N型轻掺杂区，位于所述N+型缓冲层下面及所述背面P型掺杂区上面；所述N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于所述附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于所述N+型缓冲层的N型掺杂浓度。
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