[发明专利]一种步进式加热炉用SiSiC 质垫块及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210439963.2 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN102898164A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 祝洪喜;汪盛明;张小东;张茂杰;邓承继;彭玮珂;李君 申请(专利权)人: 湖北红花高温材料有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 北京君智知识产权代理事务所 11305 代理人: 吕世静
地址: 443300 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种步进式加热炉用SiSiC质垫块的制备方法,取90~99份SiC粉、1~10份炭粉和0.5~1.5份外加剂和16~20份水,经过混磨制浆、浇注成型、湿坯烘干、渗硅反应烧结和机械加工等步骤实现制备。本发明的制备方法工艺简单、成本低,可以直接烧成,不需要氮化反应烧结。所制备的SiSiC质垫块耐高温、强度很大、抗蠕变性能强、导热系数小、抗热震性好,可取代耐热合金钢垫块。
搜索关键词: 一种 步进 加热炉 sisic 垫块 及其 制备 方法
【主权项】:
一种步进式加热炉用SiSiC质垫块的制备方法,其特征在于步骤如下: (1)配料:以重量份计称取90~99份SiC粉、1~10份炭粉和0.5~1.5份外加剂,再加入16~20份水,混磨制成料浆;所述的外加剂是以重量比计2:1的羧甲基纤维素与聚丙烯酸铵或聚丙烯酸钠的混合物; (2)成型:将步骤(1)的料浆注入石膏模中浇注成型制成垫块湿坯,静置养护20~30h后脱模取出垫块湿坯; (3)干燥:将湿坯装入烘干炉中经100~120℃、保温24~48h烘干后制成垫块生坯; (4)渗硅反应烧结:将步骤(3)的垫块生坯置于反应烧结炉中在1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下保温4~32小时进行高温渗硅反应烧结,制得毛坯; (5)将毛坯进行机械加工处理,制得步进式加热炉用SiSiC质垫块。
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