[发明专利]芯片的制造方法有效
申请号: | 201210440189.7 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103107137B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 淀良彰;广泽俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L27/146;B81C1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供芯片的制造方法,制造不因分割预定线上的层叠物而妨碍贴合晶片分割的带盖的芯片,该芯片由表面具备器件的器件芯片和在该器件芯片的表面配设的盖板构成,该制造方法包括器件晶片准备步骤,准备器件晶片,该器件晶片在由在表面形成的交叉的多个分割预定线划分而成的各区域中分别形成了器件;层叠物除去步骤,沿着该器件晶片的该分割预定线来照射激光束,除去层叠在该分割预定线上的层叠物;贴合晶片形成步骤,在实施了该层叠物除去步骤之后,使粘接部件至少介于该器件晶片的围绕该各器件的区域,在该器件晶片的表面粘贴盖晶片而形成贴合晶片;以及分割步骤,沿着该分割预定线来分割该贴合晶片,形成在器件芯片的表面配设了盖板的芯片。 | ||
搜索关键词: | 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片的制造方法,该芯片由器件芯片和盖板构成,该器件芯片在表面具备器件,该盖板配设于该器件芯片的表面,该制造方法的特征在于包括:器件晶片准备步骤,准备器件晶片,该器件晶片在由多个分割预定线划分而成的各区域分别形成了器件,该多个分割预定线形成于该器件晶片的表面,并且交叉;层叠物除去步骤,沿着该器件晶片的该分割预定线来照射激光束,除去层叠在该分割预定线上的层叠物;切削槽形成步骤,在实施了所述层叠物除去步骤之后,沿着所述器件晶片的所述分割预定线,利用切削刀来切削该器件晶片,形成达到所述器件芯片的最终厚度的深度的切削槽;贴合晶片形成步骤,在实施了该切削槽形成步骤之后,使粘接部件至少介于该器件晶片的围绕该各器件的区域,在该器件晶片的表面粘贴盖晶片而形成贴合晶片;以及分割步骤,沿着该分割预定线来分割该贴合晶片,形成在器件芯片的表面配设了盖板的芯片,在所述层叠物除去步骤中,在下一工序的切削槽形成步骤中使用的所述切削刀的表背侧面被定位的区域中沿着分割预定线来形成一对激光加工槽,除去层叠物,在所述切削槽形成步骤中,使所述切削刀的表背两面对准所述一对激光加工槽来进行切削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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