[发明专利]单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置有效
| 申请号： | 201210441205.4 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102995111A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈世斌;张燕玲;陶智贵 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了单晶制造技术领域中的单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置。本发明包括用于采集导流筒下口内侧在硅料液面上投影图像的摄像头、和摄像头连接的用于测量图像上两个点之间的距离和计算图像采集点到硅料液面的距离的计算机、用于对硅料液面的位置进行调整的PLC。本发明能够直接准确测量在高温负压环境下液态多晶硅料的液面相对位置，减少现场单晶工人的劳动强度，为自动化的单晶炉提供低成本高可靠的液面检测方案。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉非 接触 式硅料 液面 位置 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶炉非接触式硅料液面位置测量装置，其特征是，该装置用于通过导流筒下口内侧在硅料液面上的投影在摄像头上的成像来控制埚跟比，该装置包括：摄像头，用于采集导流筒下口内侧在硅料液面上投影的图像；和摄像头连接的计算机，用于测量图像上两个点之间的距离和计算图像采集点到硅料液面的距离；和计算机连接的PLC，用于对硅料液面的位置进行调整。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司，未经北京七星华创电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210441205.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高密度鱼骨状碳纳米载体的制备方法
- 下一篇：一种圆柱电池套标机的上料机构
