[发明专利]一种用于多波段动态场景生成的芯片无效
申请号: | 201210441622.9 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102969325A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 钱丽勋;李卓;王欣;周丽丽;孔文华;唐成;李平 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学;北京机电工程研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/33 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于多波段动态场景生成的芯片。属于动态红外图像生成以及可见光/红外场景复合领域。本发明的一种用于多波段动态场景生成的芯片,包括衬底和红外成像象元阵列;衬底的一侧制作有若干高可见光吸收物质,高可见光吸收物质成阵列排列。红外成像象元阵列是由高可见光吸收物质制作而成。本发明的芯片,将可见光波段、近红外波段、中红外波段和远红外波段场景的产生集中在一个芯片上,避免了多个转换器复合的复杂结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 波段 动态 场景 生成 芯片 | ||
【主权项】:
一种用于多波段动态场景生成的芯片,其特征在于:包括聚酰亚胺薄膜制作而成的衬底和高可见光吸收物质构成的红外成像象元阵列;衬底表面周期性排列高可见光吸收物质则构成红外成像象元阵列;衬底的一侧制作有红外成像象元阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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