[发明专利]III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210441633.7 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103014866A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;八乡昭广;入仓正登;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/205;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 设置 外延 制造 上述 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面的氯原子的个数为2×1014以下，并且每平方厘米所述表面的硅原子的个数为3×1013以下，其中所述III族氮化物衬底选自由GaN制成的衬底、由AlN制成的衬底或其混晶衬底。
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