[发明专利]基于微/纳米周期结构的荧光增强微阵列生物芯片及其制备方法无效
申请号: | 201210441836.6 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102901715A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 崔小强;郑伟涛;刘畅;张雷 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55;G01N21/64;B81B7/04;B81C1/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 朱世林;王寿珍 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于微/纳米周期结构的荧光增强微阵列生物芯片及其制备方法,该芯片基于表面等离激元共振增强荧光技术的微/纳米周期结构作为微阵列生物芯片基底材料。在玻璃或/和高分子衬底上加工一系列微/纳米周期结构:周期400-800nm,深度为20-100nm,继以沉积多层功能薄膜,使其具有表面等离激元共振耦合增强荧光作用。基底上的生物分子微阵列分析的荧光信号强度和灵敏度被提高约10倍,这种微/纳米周期结构有潜力成为全新的低成本、高通量、超灵敏的微阵列生物芯片基底材料。其特点是:将表面等离激元共振增强荧光与微阵列生物芯片技术结合,结构简单,取材灵活多样,适合大批量生产和高通量检测。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 周期 结构 荧光 增强 阵列 生物芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于微/纳米周期结构的荧光增强微阵列生物芯片,其特征在于:在玻璃或/和高分子衬底上加工一系列微/纳米周期结构:周期400‑800nm,深度为20‑100nm,继以沉积多层功能薄膜,使其具有表面等离激元共振耦合增强荧光作用,用于低成本高通量检测的微阵列生物芯片;所述表面等离激元共振耦合增强荧光用作微阵列生物芯片基底材料的微/纳米周期结构,所述多层功能薄膜结构包括:用于改善基底与金属之间的附着性的增强吸附层,包含0.4‑2.0nm的Cr,Ti;表面等离激元激发层,包含20‑200nm的Ag,Au,Al;用于表面修饰生物分子以及防止荧光淬灭的隔离层,包含10‑500nm的ZnO,SiO2,TiO2,MgF2;所述表面用于生物分子修饰表面及微阵列分析。
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