[发明专利]分布反馈激光器的制造方法无效
| 申请号： | 201210442133.5 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811998A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 耿振民 | 申请（专利权）人： | 无锡华御信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 温子云 |
| 地址： | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种分布反馈激光器的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）在衬底上一次生长缓冲层、下包层、波导层；2）在生长波导层时，在波导层内生长吸收层，并在吸收层上刻蚀多段分布反馈激光器强折射率光栅3；3）生长有源区的压应变量子阱及拉应变量子垒；4）在有源区上方二次外延生长波导层和上包层；所述有源区、波导层、上包层和下包层优选采用热膨胀系数相同或相近的材料制成，所述有源区的压缩应变量子阱的应变值为0.2~1.0%，拉伸应变量子垒的应变值为0.2~1.0%；所述有源区的厚度为1-10微米，波导层的厚度为8-15微米，上包层和下包层的厚度为20-50微米。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分布反馈激光器的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）在衬底上一次生长缓冲层、下包层、波导层；2）在生长波导层时，在波导层内生长吸收层，并在吸收层上刻蚀多段分布反馈激光器强折射率光栅3；3）生长有源区的压应变量子阱及拉应变量子垒；4）在有源区上方二次外延生长波导层和上包层；所述有源区、波导层、上包层和下包层优选采用热膨胀系数相同或相近的材料制成，所述有源区的压缩应变量子阱的应变值为0.2~1.0%，拉伸应变量子垒的应变值为0.2~1.0%；所述有源区的厚度为1‑10微米，波导层的厚度为8‑15微米，上包层和下包层的厚度为20‑50微米。
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