[发明专利]去除磷硅玻璃的设备和方法无效
申请号: | 201210442267.7 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102938433A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 马红娜;张红妹;马桂艳;胡海波 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种去除磷硅玻璃的设备和方法,该方法包括:将扩散完成后的硅片放置在第二密封容器中;将N2通入到氢氟酸溶液中,通过N2将含水的氟化氢气体通入第二密封容器中,其中,所述氢氟酸溶液存储在第一密封容器中;在第二密封容器中,含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG反应,去除硅片表面的PSG;从第二密封容器中排出反应生成物。本发明提供的去除磷硅玻璃的方法,由于含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG的反应是在密封设备中进行的,因此,降低了人接触剧毒化学品氢氟酸的概率,增加了生产的安全性。 | ||
搜索关键词: | 去除 玻璃 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种密封设备,用于去除磷硅玻璃PSG,其特征在于,包括:存储氢氟酸溶液的第一密封容器和放置硅片的第二密封容器,其中,第一密封容器包括第一进气口和第一出气口,第二密封容器包括第二进气口和第二出气口,所述第一进气口连接N2输入管路,第一出气口连接第二进气口,第二出气口连接废气排放管路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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