[发明专利]晶圆背面金属化的方法有效
| 申请号： | 201210442362.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811293A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张伟;闫晓多;麻冰欣;刘杰;欧阳东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆背面金属化的方法，在金属钛层表面形成氮化镍层以改善作为缓冲层的金属镍层的热膨胀系数，并将现有技术中通过一次物理气相沉积的金属银层的工艺改为通过循环多次的沉积、冷却分步形成金属银层，并在每步沉积金属银时保持晶圆的温度不高于预定温度，减小了由于晶圆在沉积过程中温度过高导致的晶圆背面金属层受热膨胀，进而导致晶圆翘曲的问题，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面金属化的方法，包括：步骤A：对晶圆背面进行化学机械研磨以平坦化；步骤B：通过物理气相沉积在所述晶圆背面形成金属钛层；步骤C：在氮气的氛围下进行物理气相沉积，以在金属钛层表面形成氮化镍层；步骤D：在所述氮化镍层表面通过物理气相沉积形成金属银层，当晶圆温度到达预定温度时停止沉积，并对晶圆进行冷却；步骤E：循环执行步骤D以使金属银层的厚度达到预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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