[发明专利]一种用于制造发光器件的碳化硅组合衬底无效
| 申请号： | 201210442473.8 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094439A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造发光器件的碳化硅组合衬底，包括：单晶碳化硅片；在单晶碳化硅硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。本发明的组合衬底具有加工方便，成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低，可大面积生长较大厚度的GaN外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 发光 器件 碳化硅 组合 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制造发光器件的碳化硅组合衬底，其特征在于，该组合衬底包括：单晶碳化硅片；在单晶碳化硅硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。
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