[发明专利]一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO3的方法无效
| 申请号： | 201210442545.9 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102897850A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王永霞;崔香枝;李永生;施剑林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;华东理工大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO3的方法，所述方法包括如下操作：a)将含有镧源和钴源的前驱体溶液在毛细管力作用下灌注到硬模板介孔二氧化硅的介孔孔道中；b)将装载有镧和钴前驱体的介孔二氧化硅复合物进行干燥；c)进行分级热处理；d)去除介孔二氧化硅模板。由本发明方法可获得比表面积为200～300m2/g，孔径为5～8nm，孔容为0.2～0.8cm3/g的介孔LaCoO3，催化活性得到大大提高，可满足更广领域的应用要求，且本发明所述方法，具有成本低廉、工艺简便、可控性强等优点，具有极强实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 比表面 晶化孔壁 lacoo sub 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO3的方法，其特征在于，包括如下操作：a)将含有镧源和钴源的前驱体溶液在毛细管力作用下灌注到硬模板介孔二氧化硅的介孔孔道中；b)将装载有镧和钴前驱体的介孔二氧化硅复合物进行干燥；c)进行分级热处理；d)去除介孔二氧化硅模板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所;华东理工大学，未经中国科学院上海硅酸盐研究所;华东理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210442545.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铆钉
- 下一篇：一种用于具有深腔安装孔的螺钉连接装置
