[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构有效
| 申请号： | 201210443733.3 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102969387A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟明;颜建;吴文俊;李华 | 申请（专利权）人： | 王伟明;国电科技环保集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构，包括：衬底；在衬底上的腐蚀剥离层；在腐蚀剥离层上的GaInP第一子电池；在第一子电池上的第一隧穿结；在第一隧穿结上的GaAs第二子电池；在第二子电池上的晶格过渡层，该晶格过渡层的材料可以为AlInGaAs、GaInP、AlGaInP、GaInPAs、AlGaInAsP等任何晶格常数在0.5656nm-0.579nm之间，且同时禁带宽度Eg满足Eg＞1.4eV的III-V族材料；在晶格过渡层上的第二隧穿结；和在第二隧穿结上的InGaAs第三子电池。与传统技术相比，本发明采用P型掺杂的晶格过渡层材料代替传统的N型掺杂的晶格过渡层材料，并且改变了第二隧穿结和晶格过渡层的生长顺序，这有利于降低InGaAs材料的线位错密度，提高InGaAs电池的开路电压，从而提高了整个三结太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | gainp gaas ingaas 太阳能电池 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构，其特征在于，包括：衬底(101)；在衬底(101)上的腐蚀剥离层(a)；在腐蚀剥离层(a)上的GaInP第一子电池(b)；在第一子电池(b)上的第一隧穿结(c)；在第一隧穿结(c)上的GaAs第二子电池(d)；在第二子电池(d)上的晶格过渡层(e)，其中该晶格过渡层的材料为晶格常数在0.5656nm‑0.579nm之间且同时禁带宽度Eg满足Eg＞1.4eV的III‑V族材料；在晶格过渡层(e)上的第二隧穿结(f)；和在第二隧穿结(f)上的InGaAs第三子电池(g)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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