[发明专利]半导体器件及其封装方法有效
| 申请号： | 201210444184.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915981A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;缪小勇 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其封装方法。其中，半导体器件包括半导体基底和柱状电极，所述半导体基底上具有焊盘，所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接，所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点，且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面及远离所述焊盘的端面。上述方案，使焊接凸点裹覆在柱状电极的外侧，使焊接凸点与柱状电极形成了类似插销的结构，焊接凸点与柱状电极由现有的单平面接触变为多面接触，接触面积增大，两者的结合力增强，使得焊接凸点受到的可接受外力大大增强，进而提高了焊接凸点与柱状电极结合的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括半导体基底和柱状电极，所述半导体基底上具有焊盘，所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接，其特征在于，所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点，且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面及远离所述焊盘的端面。
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