[发明专利]半导体封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210444512.8 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931111A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供芯片，所述芯片的第一表面形成有金属互连层；在金属互连层表面形成第一柱状电极；在所述第一柱状电极上形成第一扩散阻挡层，刻蚀所述金属互连层形成第一底部金属层；在所述第一扩散阻挡层表面形成第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部表面和侧壁表面；提供封装基板，将所述芯片倒装到所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与所述封装基板的焊接端子互连。由于所述第一焊球形成在所述第一柱状电极上，使得所述芯片和封装基板之间的间距变大，有利于后续形成封装材料时能完全填充满所述芯片和封装基板之间的间隙，避免影响芯片的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片具有第一表面和第二表面，所述芯片的第一表面形成有金属互连层；在金属互连层表面形成第一柱状电极，所述第一柱状电极底部周围暴露出部分金属互连层；在所述第一柱状电极侧壁表面、顶部表面、第一柱状电极底部周围暴露出的部分金属互连层表面形成第一扩散阻挡层，刻蚀所述金属互连层形成第一底部金属结构，所述第一底部金属层至少包括位于第一柱状电极和第一扩散阻挡层下方的金属互连层；在所述第一扩散阻挡层表面形成第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部表面和侧壁表面；提供封装基板，所述封装基板具有焊接端子，所述焊接端子的位置与第一焊球的位置相对应，将所述芯片倒装到所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与所述焊接端子互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
