[发明专利]一种阶段性电镀工艺电镀铜方法无效
| 申请号： | 201210444570.0 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103806030A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林永峰 | 申请（专利权）人： | 无锡新三洲特钢有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/18;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨小双 |
| 地址： | 214100 江苏省无锡市惠*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阶段性电镀工艺电镀铜方法，其特征在于，该方法采用阶段性电镀工艺和与该工艺相适应的电镀液进行处理。所述阶段性电镀工艺处理中的每个处理阶段的工艺条件为：硅片工艺位置：2～10毫米，电流密度：0.2～8安培/平方分米，硅片旋转速度：5～50转/分钟，电镀液流速：4～20升/分钟，时间：3～500秒。从而在保证高的填充速率的同时，有效地减小了大尺寸、大深度图形相对于无图形区域的台阶高度，在保证化学机械抛光工艺窗口的前提上，间接地减少了电镀工艺所需的铜膜厚度，进而缩短了电镀工艺时间和化学机械抛光工艺时间，并节约化学耗材的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶段性 电镀 工艺 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
一种阶段性电镀工艺电镀铜方法，其特征在于，该方法采用阶段性电镀工艺和与该工艺相适应的电镀液进行处理，在不同的电流密度、硅片旋转速度、电镀液流速以及硅片工艺位置条件下分阶段进行电镀工艺处理；所述电镀液，包括：硫酸铜为50～200克/升，硫酸为50～220克/升，氯离子为10～150毫克/升，抑制剂为5～200毫克/升，加速剂为5～50毫克/升，整平剂为0.5～20毫克/升，其余为去离子水；所述阶段性电镀工艺处理中的每个处理阶段的工艺条件为：硅片工艺位置：2～10毫米，电流密度：0.2～8安培/平方分米，硅片旋转速度：5～50转/分钟，电镀液流速：4～20升/分钟，时间：3～500秒。
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