[发明专利]一种高含量钨掺杂的纳米VO2粉体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210444845.0 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103803652A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 刘畅;刘英博;乔东才 申请(专利权)人: 深圳市润麒麟科技发展有限公司
主分类号: C01G41/00 分类号: C01G41/00;C01G31/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种具有高含量钨掺杂的纳米二氧化钒粉体及其制备方法,该制备方法将水热合成掺杂法和溶胶-凝胶掺杂法有机地相结合,提高了钨原子的掺杂量;同时,其使用的原料白钨酸的化学活性远高于其它钨的化合物,也使得钨在VO2晶格中的掺杂量大大增加;通过该方法可以有效降低VO2的相变温度,实现其更广泛的应用。
搜索关键词: 一种 含量 掺杂 纳米 vo sub 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有高含量钨掺杂的纳米二氧化钒粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(一)首次掺杂①将V2O5加入去离子水调浆,再加入草酸水溶液调节pH值至5‑7,微热(40‑60℃)搅拌;②向步骤①所获溶液中,加入浓盐酸,微沸,而后加入N2H4·2HCl的水溶液充分反应后得VOCl2溶液;③向步骤②所获溶液中通入二氧化碳驱氧,在继续通入二氧化碳的情况下,同时滴加NH4HCO3水溶液和Na2WO4水溶液;待溶液滴加完毕后,再静置0.5~24h;待晶体析出后真空抽滤,洗涤,得到首次掺杂的含钨前躯体中间产物;(二)二次掺杂(a)将所述首次掺杂的含钨前躯体中间产物、白钨酸、助剂混合均匀进行研磨,放入坩锅中;(b)将步骤(a)中装有物料的坩锅放入马弗炉中升温至600‑850℃,保温30‑60min,得到熔融产物;(c)将步骤(b)的熔融产物进行水淬,同时快速搅拌,得到溶胶,将该溶胶静止20‑40分钟后再进行干燥得到掺杂干凝胶;(d)将步骤(c)得到的掺杂干凝胶进行研磨后,于管式炉中还原气氛下500‑700℃热还原1‑3h,再在保护气体下保温7‑10h后退火处理,得到高含量钨掺杂的纳米二氧化钒粉体。
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