[发明专利]亚波长波导及制备方法有效
申请号: | 201210445107.8 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103809239A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 武爱民;甘甫烷;李浩;盛振;王曦 | 申请(专利权)人: | 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;G02B6/136 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 226009 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种亚波长波导及制备方法。首先,在含氧基底表面沉积硬掩膜;随后,在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层;接着,以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层;最后,以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构,本发明的亚波长波导结构紧凑,制备方法能与集成电路工艺兼容。 | ||
搜索关键词: | 波长 波导 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备亚波长波导的方法,其特征在于,所述制备亚波长波导的方法至少包括:A)在含氧基底表面沉积硬掩膜;B)在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层;C)以该周期性单排光刻胶柱体图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层;D)以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构。
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