[发明专利]半导体装置和电子单元无效
| 申请号： | 201210445123.7 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103107292A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 野元章裕 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/05;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置和电子单元。公开了薄膜晶体管和用于形成薄膜晶体管(TFT)的技术。在一些实施例中，提供了一种形成TFT的方法，包括：形成包括有机半导体材料的TFT的本体区域，以及形成包括有机绝缘材料的保护层。形成保护层包括：将TFT的本体区域与包括有机绝缘材料的溶液接触。有机绝缘材料是当溶液与有机半导体材料接触时与有机半导体材料相位分离的材料。在其他实施例中，提供了一种包括TFT的设备。TFT包括包含有机半导体材料的本体区域以及与本体区域接触并包括有机绝缘材料的保护层，当包括有机绝缘材料的溶液与有机半导体材料接触时，使得有机绝缘材料与有机半导体材料相位分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子 单元 | ||
【主权项】：
一种形成薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：形成TFT的本体区域，所述本体区域包括有机半导体材料；以及形成包括有机绝缘材料的保护层，其中，形成所述保护层包括将所述TFT的本体区域与包括所述有机绝缘材料的溶液接触，所述有机绝缘材料是当所述溶液与所述有机半导体材料接触时与所述有机半导体材料相位分离的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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