[发明专利]一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201210445356.7 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956548A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;史铁林;孙博;盛文军;张康;汤自荣;夏奇;高阳;谭先华 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 辅助 硅通孔 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶，并通过光学光刻或电子束光刻得到目标通孔结构对应的光刻胶图形；（2）在刻有光刻胶图形的单晶硅片上镀金膜或银膜；（3）将镀金膜或银膜的单晶硅片置于电场环境中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂对其作金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并清洗干净。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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