[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201210447115.6 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107228B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 坚石李甫;浅见良信 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 柯广华,朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且电特性良好的光电转换装置。形成一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括将具有一导电型的透光半导体层用作窗层，具有用来形成p‑n结的导电型的硅半导体衬底或具有用来形成p‑i‑n结的导电型的硅半导体层。作为该透光半导体层，可以使用以属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括：具有p型导电型或n型导电型的硅衬底；形成在所述硅衬底的表面上的透光半导体层，该透光半导体层具有与所述硅衬底相反的导电型；形成在所述透光半导体层上的透光导电膜；形成在所述透光导电膜上的第一电极；以及形成在所述硅衬底的背面上的第二电极，其中，所述透光半导体层使用作为主要成分包含属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物的无机化合物形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
