[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210447292.4 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103811320B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层，其中第一半导体层是掺杂的；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；在衬底上形成电介质层，使得电介质层实质上覆盖初始鳍，其中位于初始鳍顶部的电介质层厚度充分小于位于衬底上的电介质层厚度；对电介质层进行回蚀以形成隔离层，隔离层露出第一半导体层的一部分，从而限定出位于隔离层上的鳍；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层，其中第一半导体层是掺杂的；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；在衬底上淀积电介质层，使得电介质层实质上覆盖初始鳍，其中位于初始鳍顶部的电介质层厚度充分小于位于衬底上的电介质层厚度，所淀积的电介质层具有第一表面，所述第一表面的最低处超出初始鳍的顶面；在同一刻蚀步骤中从第一表面开始对电介质层进行回蚀，使电介质层具有低于第一表面的第二表面以形成隔离层，隔离层露出第一半导体层的一部分，从而限定出位于隔离层上方的鳍，其中隔离层位于鳍相对两侧的部分各自的第二表面实质上持平；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
