[发明专利]一种光频本征型超常电磁介质材料及其制备与应用方法无效
| 申请号： | 201210448762.9 | 申请日： | 2012-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931494A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周济;傅晓建;许元达;李勃;兰楚文;赵乾 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电磁介质材料技术领域，特别涉及一种光频本征型超常电磁介质材料及其制备与应用方法。本发明以透明光学晶体为基质晶体，以三价稀土离子为掺杂离子，将两种稀土离子均匀掺杂在基质晶体中获得光频本征型超常电磁介质材料；利用所选则的两种稀土离子同一波长处的电偶极跃迁和磁偶极跃迁同时实现负介电常数和负磁导率，从而实现负折射率；电磁共振跃迁的激发波长由选所择的稀土离子的能级结构决定，处于300 nm~2000 nm的波长范围内。本发明可以在很大程度上简化材料制备工艺，实现光频的超常电磁响应，甚至可以获得负折射性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超常 电磁 介质 材料 及其 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
一种光频本征型超常电磁介质材料，其特征在于：以透明光学晶体为基质晶体，以三价稀土离子为掺杂离子，将两种稀土离子均匀掺杂在基质晶体中所形成的光频本征型超常电磁介质材料；所述两种稀土离子分别提供负介电常数和提供负磁导率；其中稀土离子总摩尔数占基质晶体摩尔数的0.1％～10％；两种稀土离子的摩尔比为1:1～1:10，其中提供负介电常数的稀土离子的含量不大于提供负磁导率的稀土离子的含量，且要求提供负介电常数的稀土离子的电偶极跃迁能级对和提供负磁导率的稀土离子的磁偶极跃迁能级对满足简并条件；该材料能够利用同一波长处的电偶极跃迁和磁偶极跃迁同时实现负介电常数和负磁导率，从而实现负折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210448762.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
