[发明专利]一种半导体变压结构和具有其的芯片无效
申请号: | 201210448868.9 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103296126A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 郭磊 | 申请(专利权)人: | 郭磊 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/173 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体变压结构和具有其的芯片,其中半导体变压结构包括:一个或多个半导体电光转换结构,半导体电光转换结构包括电光转换层,电光转换层用于将输入电能转换为光能;和一个或多个半导体光电转换结构,半导体电光转换结构包括光电转换层,光电转换层用于将光能转换为输出电能,其中,光电转换层的吸收光谱与电光转换层的发射光谱之间频谱匹配,其中,半导体电光转换结构、半导体光电转换结构之间通过反偏PN结结构进行隔离。本发明具有材料易于获得、成本低廉、工艺成熟等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 变压 结构 具有 芯片 | ||
【主权项】:
一种半导体变压结构,其特征在于,包括:一个或多个半导体电光转换结构,所述半导体电光转换结构包括电光转换层,所述电光转换层用于将输入电能转换为光能;和一个或多个半导体光电转换结构,所述半导体电光转换结构包括光电转换层,所述光电转换层用于将所述光能转换为输出电能,其中,所述光电转换层的吸收光谱与所述电光转换层的发射光谱之间频谱匹配,其中,所述半导体电光转换结构、所述半导体光电转换结构之间通过反偏PN结结构进行隔离。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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