[发明专利]集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210449048.1 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102945922A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 颜世申;李强;沈婷婷;代正坤;臧云飞;刘国磊;陈延学;梅良模 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定的正电压时，磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，当上电极Ag加一定的负电压时，磁性隧道结由低阻态变为高阻态。本发明还提供多功能自旋记忆电阻器件的制备方法。本发明结合隧穿磁电阻和电致电阻效应，通过电场和磁场的作用成功实现了Co/CoO-ZnO/Co中多重电阻状态的调控。该器件可用于多态存储器和模拟神经网络。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 电阻 磁电 一体 多功能 自旋 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件，其特征在于包括采用Co/CoO‑ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压（±1V）下，具有双极阻变效应，在外加磁场（±500Oe）下，具有隧穿磁电阻效应；所述的Co/CoO‑ZnO/Co磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定（+1V）的正电压时，Co/CoO‑ZnO/Co磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，此时的电压称为Vset，Vset=+1V；当上电极Ag加一定（‑0.5V）的负电压时，Co/CoO‑ZnO/Co磁性隧道结由低阻态变为高阻态，此时的电压称为Vreset，Vreset=‑0.5V。
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