[发明专利]闪存中的资料补偿方法有效
| 申请号： | 201210449187.4 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811077B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 曾士家;曾建富;张锡嘉;周彦宇 | 申请（专利权）人： | 光宝电子（广州）有限公司;光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 广东省广州市高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种闪存中的资料补偿方法，包括下列步骤统计该闪存中该第一储存状态的存储单元与一临界电压的一第一曲线分布；统计该闪存中该第二储存状态的存储单元与该临界电压的一第二曲线分布；设定一统计电压范围；根据该统计电压范围与该第一曲线分布，获得该第一储存状态下一第一种ICI图样出现的一第一机率；根据该统计电压范围与该第二曲线分布，获得该第二储存状态下该第一种ICI图样出现的一第二机率；以及，于一读取周期时，根据该第一机率与该第二机率补偿该第一种ICI图样对应的中央存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 中的 资料 补偿 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存中的错误资料补偿方法，该闪存中包括多个存储单元，每一个存储单元至少可储存一第一储存状态或一第二储存状态，且该第一储存状态相邻于该第二储存状态，该第一储存状态具备一低电平且该第二储存状态具备一高电平，该错误资料补偿方法包括下列步骤：统计该闪存中该第一储存状态的存储单元与一临界电压的一第一曲线分布；统计该闪存中该第二储存状态的存储单元与该临界电压的一第二曲线分布；设定一统计电压范围；根据该统计电压范围与该第一曲线分布，获得该第一储存状态下一第一种ICI图样出现的一第一机率；根据该统计电压范围与该第二曲线分布，获得该第二储存状态下该第一种ICI图样出现的一第二机率；以及于一读取周期时，根据该第一机率与该第二机率补偿该第一种ICI图样对应的中央存储单元，其中，根据该统计电压范围与该第一曲线分布获得该第一机率的步骤，还包括下列步骤：利用该第一曲线分布获得具该第一种ICI图样的中央存储单元的一第一数目；利用该第一曲线分布与该统计电压范围获得具该第一种ICI图样且该临界电压位于该统计电压范围内中央存储单元的一第二数目；以及将该第二数目除以该第一数目获得该第一机率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光宝电子（广州）有限公司;光宝科技股份有限公司，未经光宝电子（广州）有限公司;光宝科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210449187.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大型油管管路简易堵漏装置
- 下一篇：塑封管笼头底座盖
