[发明专利]一种硅烷化成剂及其制备方法有效
| 申请号： | 201210449618.7 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102978594A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 冉光友;龙兵;岑添祥 | 申请（专利权）人： | 岑添祥 |
| 主分类号： | C23C22/05 | 分类号： | C23C22/05 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘先珍 |
| 地址： | 528311 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅烷化成剂，其是由以下质量份的原料组成：10-20份的硅烷偶联剂、10-20份的有机溶剂、1-5份的pH调整剂、5-10份的络合剂、0.1-1份的润湿剂、50-80份的水。本发明的硅烷化成剂属完全水性体系，该产品无毒害性、无污染，能提高有机涂层对各种底材的结合力，且利用该化成剂进行的涂装前处理工艺能耗低，成本低，它为极具发展潜力的环保型、省资源型等复合型涂装前处理产品。可应用于家用电器、汽车、电子、航空及大型装备等工业涂装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 化成 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅烷化成剂，其特征在于：其是由以下质量份的原料组成：10‑20份的硅烷偶联剂、10‑20份的有机溶剂、1‑5份的pH调整剂、5‑10份的络合剂、0.1‑1份的润湿剂、50‑80份的水。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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