[发明专利]一种改善硅穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法有效
| 申请号： | 201210449703.3 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931133A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 严利均;黄秋平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善硅穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法，该方法包含以下步骤：在进行硅穿孔工艺过程中，设置静电卡盘边缘区域的温度高于静电卡盘中心区域的温度；静电卡盘上晶圆的温度分布为，边缘区域温度高，中心区域温度低；实现在进行硅穿孔工艺中的钝化工艺时，降低晶圆边缘区域钝化形成的聚合物厚度，改善晶圆边缘区域与中心区域之间的聚合物钝化的均匀度。本发明在静电卡盘的中心区域和边缘区域分别提供不同的温度，实现在进行硅穿孔工艺流程时，晶圆边缘区域的温度高于晶圆中心区域的温度，降低晶圆边缘区域处钝化工艺产生的聚合物的厚度，提高晶圆边缘区域与中心区域的钝化处理均匀度，以改善硅穿孔工艺中晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 穿孔 工艺 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善硅穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在进行硅穿孔工艺过程中，设置静电卡盘边缘区域的温度高于静电卡盘中心区域的温度；实现在进行硅穿孔工艺中的钝化工艺时，降低晶圆边缘区域钝化形成的聚合物厚度，改善晶圆边缘区域与中心区域之间的聚合物钝化的均匀度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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