[发明专利]一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法有效
申请号: | 201210450745.9 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN102963861A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法,其步骤包括:采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层;在所述结构层上淀积金属层;湿法腐蚀所述牺牲层,通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式,非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间,能够提高MEMS工艺质量和成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 实时 确定 牺牲 腐蚀 时间 方法 | ||
【主权项】:
一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法,其步骤包括:1)采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层;2)在所述结构层上淀积金属层;3)湿法腐蚀所述牺牲层,通过观测所述金属层中金属的脱落确定腐蚀完成时间。
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