[发明专利]蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法有效
| 申请号： | 201210450773.0 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103114288B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 片山大辅;逢坂育代;傅江雅美;户田健次 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法。本发明提供一种能够抑制侧向蚀刻且提高铜布线的线性、并且能够抑制未蚀刻部分的残留的蚀刻液、其补给液以及铜布线的形成方法。本发明的蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液。本发明的补给液，其特征在于，是连续或反复使用上述本发明的蚀刻液时向上述蚀刻液中添加的补给液，是含有酸、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液。本发明的铜布线（1）的形成方法，其特征在于，是对铜层的未被抗蚀剂（2）覆盖的部分进行蚀刻的铜布线（1）的形成方法，使用上述本发明的蚀刻液进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 补给 以及 布线 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液，所述脂环式胺化合物是选自吡咯烷化合物、哌啶化合物以及哌嗪化合物中的1种以上，所述酸为盐酸，且酸的浓度为7～180g/L，所述脂环式胺化合物的浓度为0.01～10g/L。
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