[发明专利]一种半导体MEMS真空封装结构有效

专利信息
申请号: 201210451564.8 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN102951596A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 熊笔锋;马宏;王宏臣;江斌 申请(专利权)人: 烟台睿创微纳技术有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 264006 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种半导体MEMS真空封装结构,包括半导体MEMS芯片、片状密封盖,半导体MEMS芯片与片状密封盖焊接在一起,半导体MEMS芯片上设有环形金属化区域,在环形金属化区域的内侧设有金属焊盘,半导体MEMS芯片中间区域为MEMS敏感区域;片状密封盖上设有密封盖环形金属化区域,密封盖环形金属化区域的外侧设有外侧金属焊盘,密封盖环形金属化区域的内侧设有内侧金属焊盘,外侧金属焊盘与内侧金属焊盘的数量相同,且一一对应电连接,片状密封盖上的密封盖环形金属化区域的内侧设有薄膜吸气剂,片状密封盖的中央区域为通光区域;这种半导体MEMS芯片级封装也可以以晶圆方式进行,片状密封盖也可以制作成晶圆,与半导体MEMS芯片晶圆一一对应进行密封焊接。
搜索关键词: 一种 半导体 mems 真空 封装 结构
【主权项】:
一种半导体MEMS真空封装结构,包括半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆、片状密封盖或片状密封盖晶圆,所述半导体MEMS芯片与片状密封盖焊接在一起,或半导体MEMS芯片晶圆与片状密封盖晶圆焊接在一起,其特征在于:所述半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆上设有环形金属化区域,在环形金属化区域的内侧设有金属焊盘,半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆中间区域为MEMS敏感区域;所述片状密封盖或片状密封盖晶圆上设有密封盖环形金属化区域,所述密封盖环形金属化区域的外侧设有外侧金属焊盘,所述密封盖环形金属化区域的内侧设有内侧金属焊盘,所述密封盖或密封盖晶圆环形金属化区域的外侧金属焊盘与内侧金属焊盘的数量相同,且一一对应电连接,片状密封盖上或片状密封盖晶圆的密封盖环形金属化区域的内侧设有薄膜吸气剂,片状密封盖或片状密封盖晶圆的中央区域为通光区域。
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