[发明专利]CMOS影像传感器及其形成方法无效
| 申请号： | 201210451763.9 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102916027A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;余兴 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS影像传感器及其形成方法，通过浅槽隔离与其相邻的光电二极管之间形成有高K介质层，从而有效避免浅槽隔离结构中的（缺陷）电子移动传递到光电二极管中，进而防止光电二极管检测到非光照产生的电流（即暗电流）。特别的，所述高K介质层通过化学气相沉积工艺、炉管工艺或者原子层淀积工艺即可形成，其工艺实现方法简单，膜层质量可靠，从而能够很好地避免浅槽隔离结构中的（缺陷）电子移动传递到光电二极管中，保证CMOS影像传感器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 影像 传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS影像传感器，其特征在于，包括：硅衬底，形成于所述硅衬底中的多个光电二极管，及位于相邻两个光电二极管之间的浅槽隔离，其中，所述浅槽隔离与相邻的光电二极管之间形成有高K介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
