[发明专利]牺牲层腐蚀时间的测试结构及MEMS器件制备方法有效
| 申请号： | 201210451765.8 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102963859A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 腐蚀 时间 测试 结构 mems 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，其特征在于：包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。
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