[发明专利]电子可编程熔丝器件制作方法有效
| 申请号： | 201210451795.9 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102915961A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子可编程熔丝器件制作方法，包括：将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时采用第一光刻胶；对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶。本发明分别对普通区域和电子可编程熔丝器件区域采取不同的光刻胶进行曝光，在电子可编程熔丝区域采用曝光速度较快的光刻胶，使得多晶硅熔丝的边缘粗糙度增大，从而增加了电子可编程熔丝器件中的电流密度变化，增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 可编程 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电子可编程熔丝器件制作方法，其特征在于，包括：将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时采用第一光刻胶；对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
