[发明专利]半导体器件电性失效的检测方法

摘要

一种半导体器件电性失效的检测方法，包括：步骤S1：灰阶收集；a、以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，通过程式设定为缺陷而被检测，并拍摄电子显微镜图谱；b、以半导体器件作为扫描对象，并在不同条件下扫描，进行灰阶分析；步骤S2：扫描条件筛选，进行电性测试；获得相似度数值；定义最优扫描条件；步骤S3：进行定点灰阶分析，获得电性有效的灰阶收集数据区间；步骤S4：电性失效区域预报。本发明通过电子束缺陷扫描仪所获得的灰阶收集数据与所述电性测试数据进行比较，可有效的预报电性失效区域和电性有效区域，为监测离子注入工艺优劣提供依据，并为即将采取的改善措施提供技术支持，为缩短半导体器件的研发周期提供有力的保障。

主权项

一种半导体器件电性失效的检测方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：灰阶收集，所述灰阶收集进一步包括，a、应用电子束缺陷扫描仪在半导体器件的金属连接层建立定点扫描程式，并选取待测试模块中重复单元的内部区域，以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，所述扫描单元区域通过程式设定为缺陷而被检测，并拍摄电子显微镜图谱；b、以具有所述扫描单元区域的半导体器件作为扫描对象，并在不同的条件下进行扫描，分别对不同扫描条件下所检测的扫面单元区域进行灰阶分析；执行步骤S2：扫描条件筛选，所述扫描条件筛选进一步包括，执行步骤S21，以常规工艺条件制备的半导体器件为对象进行电性测试；执行步骤S22，将所述电性测试数据与所述灰阶收集数据进行比较，以获得相似度数值；执行步骤S23，将所述半导体器件在相同扫描条件下的相似度数值进行平均处理获得平均相似度数值，并将所述最高的平均相似度数值所对应的扫描条件定义为最优扫描条件；执行步骤S3：进行定点灰阶分析，所述定点灰阶分析包括将在所述最优扫描条件下的灰阶收集数据与所述电性测试数据进行比较，以获得电性有效的灰阶收集数据区间；执行步骤S4：电性失效区域预报，所述电子束缺陷扫描仪分析灰阶收集数据，并显示异常灰阶收集数据的位置，预报所述位置为电性失效区域。