[发明专利]芯片用干膜去膜剂及制备方法无效
| 申请号： | 201210451883.9 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102968002A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 廖勇勤 | 申请（专利权）人： | 大连三达维芯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 用干膜去膜剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。
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