[发明专利]对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路有效

专利信息
申请号: 201210452059.5 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN103810311A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 王正楠 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法,其先建立一双极型晶体管仿真电路,双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻;电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间;然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性,仿真精度高。
搜索关键词: 双极型 晶体管 进行 仿真 方法 电路
【主权项】:
一种对双极型晶体管进行仿真的方法,其特征在于,包括以下步骤:一.建立双极型晶体管仿真电路,所述双极型晶体管仿真电路,包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻;所述电压控制电流源、寄生电阻串接在所述标准双极型晶体管的基极同集电极之间;I=jrev*(exp(‑(‑VA+Bvrev)/(nrev*0.025)))式中,I为电压控制电流源的电流,jrev、Bvrev、nrev为拟合系数,VA为所述寄生电阻与所述电压控制电流源的连接点电压;寄生电阻的阻值为拟合数值;二.利用步骤一建立的双极型晶体管仿真电路,对双极型晶体管进行仿真。
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