[发明专利]无金属电极的垂直结构的LED高压芯片

摘要

本发明揭示无金属电极的垂直结构的LED高压芯片，包括：支持衬底，至少两个单元半导体外延薄膜。其中，支持衬底包括，绝缘支持衬底，导电支持衬底，通孔绝缘支持衬底，通孔导电支持衬底。单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上，剥离生长衬底。相邻的单元半导体外延薄膜通过透明的中间连接电极电连接。全部单元芯片以串联方式连接，形成无金属电极的垂直结构的LED高压直流芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成无金属电极的垂直结构的LED高压交流芯片。

主权项

一种无金属电极的垂直结构的LED高压芯片，包括：‑支持衬底；‑分立的导电的焊盘；所述焊盘包括，一个第一电极焊盘，至少一个中间焊盘，一个第二电极焊盘；所述第一电极焊盘、所述第二电极焊盘和所述中间焊盘形成在所述支持衬底上；所述第一电极焊盘、所述第二电极焊盘和所述中间焊盘与所述支持衬底电绝缘；‑至少两个分立的单元半导体外延薄膜：所述单元半导体外延薄膜包括：第一类型限制层、活化层和第二类型限制层；所述单元半导体外延薄膜的所述第一类型限制层分别键合在所述第一电极焊盘和中间焊盘的预定位置上并且使得所述第一电极焊盘和所述中间焊盘的一部分暴露；所述第二电极焊盘上没有键合所述单元半导体外延薄膜；‑每个所述焊盘和键合于其上的所述单元半导体外延薄膜形成单元芯片；‑钝化层：所述钝化层层叠在每个所述单元芯片和所述第二电极焊盘的表面和侧面上；所述钝化层在所述单元半导体外延薄膜的第二类型限制层的预定的位置上方具有预定形状的窗口，所述第二类型限制层的一部分在所述窗口中暴露；所述钝化层在所述第一电极焊盘和所述中间焊盘的暴露的部分的预定的位置上方分别具有预定形状的窗口，所述第一电极焊盘的一部分和所述中间焊盘的一部分在所述窗口中暴露；所述钝化层在所述第二电极焊盘的预定的位置上方具有预定形状的窗口，所述第二电极焊盘的一部分在所述窗口中暴露；‑至少一个透明的中间连接电极：所述透明的中间连接电极包括透明的第一中间连接电极、透明的第二中间连接电极、透明的中间p‑n‑连接电极；其中，所述第一中间连接电极通过所述钝化层在一个所述单元半导体外延薄膜的所述第二类型限制层上方的所述窗口，层叠在所述第二类型限制层上；所述第二中间连接电极通过所述钝化层在一个其上层叠所述单元半导体外延薄膜的所述中间焊盘的上方的所述窗口，层叠在所述中间焊盘上；所述中间p‑n‑连接电极把至少一个所述第一中间连接电极和至少一个所述第二中间连接电极连接起来；‑一个透明的连接电极：所述透明的连接电极包括透明的第一连接电极、透明的第二连接电极、透明的p‑n‑连接电极；其中，所述第一连接电极通过所述钝化层在一个所述单元半导体外延薄膜的所述第二类型限制层上方的所述窗口，层叠在所述第二类型限制层上；所述第二连接电极通过所述钝化层在所述第二电极焊盘的上方的所述窗口，层叠在所述第二电极焊盘上；所述p‑n‑连接电极把所述第一连接电极和所述第二连接电极连接起来。