[发明专利]气体输入装置和等离子体加工设备无效
| 申请号： | 201210452617.8 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102945783A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林挺昌 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体输入装置和等离子体加工设备，其中所述气体输入装置，包括：喷嘴，其具有第一通道，以及与第一通道连通的喷嘴旁路；盖板，其内具有凹槽和多个第二通道，凹槽基本位于盖板的中心位置，多个第二通道围绕凹槽的中心线在盖板内均匀分布；其中，所述喷嘴嵌入所述凹槽内，所述第一通道的出气端由凹槽的底部伸出盖板，所述多个第二通道的进气端与所述喷嘴旁路相连通；所述多个第二通道形成为多层结构。气体输入装置和等离子体加工设备能够在所处理的晶片整个表面上方获得均匀的气流分布，进而能够有效避免在晶片表面上方中央到边缘气体分布不均匀而造成的刻蚀或沉积不均匀现象，使得在整个晶片表面上各点的刻蚀或沉积速率更加相近。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 输入 装置 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种气体输入装置(12)，其特征在于，包括：喷嘴(14)，所述喷嘴(14)具有第一通道(141)，以及与所述第一通道(141)连通的喷嘴旁路(142)；盖板(13)，所述盖板(13)内具有凹槽(131)和多个第二通道(132)，所述凹槽(131)基本位于所述盖板(13)的中心位置，所述多个第二通道(132)围绕所述凹槽(131)的中心线在所述盖板(13)内均匀分布；其中，所述喷嘴(14)嵌入所述凹槽(131)内，所述第一通道(141)的出气端(141b)从所述凹槽(131)的底部伸出盖板，所述多个第二通道(132)的进气端(132a)与所述喷嘴旁路(142)相连通；所述多个第二通道(132)形成为多层结构。
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