[发明专利]多光谱保护薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201210453336.4 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN102912293A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 董茂进;陈焘;王多书;熊玉卿;王济洲;李晨;张玲 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 马英 |
地址: | 730000*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多光谱保护薄膜及其制备方法,其中保护薄膜为氮氧化铪多光谱保护薄膜;其制备方法包括清洁真空室、清洗基底、安装靶材和多光谱硫化锌基片、真空室抽真空、预溅射和离子束反应溅射制备多光谱氮氧化铪薄膜。本发明镀制的多光谱氮氧化铪(HfON)薄膜,在中波红外和长波红外具有高的透射率,对原来多光谱ZnS基片的透射率影响很小,同时明显提升了体系的力学性能。 | ||
搜索关键词: | 光谱 保护 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多光谱保护薄膜,包括多光谱硫化锌基片,其特征在于:所述多光谱硫化锌基片的一面采用离子束反应溅射镀制氮氧化铪薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210453336.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于插塞式装置的接触元件
- 下一篇:固件映像的多所有者部署
- 同类专利
- 专利分类